TiN/Si3N4复合材料的磁控溅射制备及其电性能研究

摘要：

利用直流反应磁控溅射法在Si3 N4陶瓷基体上制备了 T iN导电薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和电子能谱（EDS）对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析，表明 TiN薄膜均匀，且与基体有较强的附着力。采用SZ82型四探针测试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析，表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。

关键词：TiN、Si3N4、厚度、方阻

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3-5,13