高强度低介电氮化硅陶瓷的制备及性能研究

摘要：

采用氮化硅(Si3N4)、氮化硼(BN)等原料,通过气氛压力烧结工艺(GPS)研制出了高强度低介电Si3N4基复合陶瓷材料.研究了Si3N4加入量对复合材料力学和介电性能的影响,分析了该材料的显微结构特点.实验结果表明;通过加入27％Si3N4制备的氮化硅基复合材料,其室温抗弯强度(σRT)为366MPa,介电常数(ε)为5.2,介电损耗(tanδ)为9×10-3.

关键词：高强度、低介电常数、Si3N4陶瓷

所属期刊栏目：34

分类号：TB3;TQ3

在线出版日期：2014-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3-6