高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

摘要：

通过采用独特的Zn-BiTi—Sn配方体系，并运用高温（800℃）烧银技术，可实现压敏电压低压化，并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V／mm左右，电压极性为1V以下，非线性系数大30以上，泄漏电流5μA以下，限制电压比约1．5（2．5A），芯片Φ10mm产品经1300A雷电流（8／20μS）冲击，压敏电压变化率为3％左右，产品已实现产业化。

关键词：ZnO低压压敏陶瓷、Bi2O3、TiO2、SnO2掺杂、电性能、压敏场强

分类号：TQ174.758

在线出版日期：2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：54-56