低介电常数多孔氮化硅陶瓷材料的制备

摘要：

采用有机泡沫前躯体浸渍工艺制备了低介电、低密度的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉体为主要原料,制备粘度和流动性合适的水基料浆，并以软质聚氨酯泡沫塑料为载体，在真空状态下浸渍，然后在氧化气氛下排塑，在氮气气氛下烧结，得到了低介电常数的多孔氮化硅陶瓷材料。所制备的材料性能可达到：容积密度为0.12g/cm3、介电常数为1.15、介电损耗为4×10-4。通过XRD，SEM研究了试样在热处理过程中的物理、化学变化，烧结体的物相组成及其显微结构。

关键词：介电常数、多孔陶瓷、氮化硅

所属期刊栏目：32

分类号：R28;TN4

在线出版日期：2011-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-19