Ba缺位和烧结工艺对Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷离子有序度和微波介电性能的影响

摘要：

利用常规固相法制备了Ba1-xZn1/3Nb2/303(x=O～0.02)陶瓷,研究了Ba缺位对Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷的相成分、B位离子长程有序度(LRO)和微波介电性能的影响规律.X射线衍射(XRD)结果显示,适量的Ba缺位可以提高材料的阳离子有序度,x=0.01时陶瓷具有最大的阳离子有序度;Ba缺位能有效改善Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷的烧结特性,提高陶瓷的致密度和Q×f值;慢降温能够显著提高陶瓷的B位离子长程有序度,Ba1-xZn1/3Nb2/3O3(x=0.01)陶瓷在1450℃下烧结,以5℃/h速率降温后能获得最大Q×f值77719GHz.

关键词：Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷、Ba缺位、长程有序度、微波介电性能

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分类号：TP1;TF4

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金20100142110071;新世纪优秀人才支持计划NECT-07-0329

在线出版日期：2011-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3-8