10.3969/j.issn.1005-1198.2009.01.003
低介电氧氮化硅陶瓷的研制
以氮化硅为主体,外加二氧化硅,研制低密度、高强、低介电的氧氮化硅陶瓷材料.通过分析材料烧结体的XRD物相图、材料的各项性能、材料的显微结构,得出二氧化硅含量对材料性能的影响规律,从而确定了材料最佳配方.
氮化硅、氧氮化硅、介电常数、介电损耗
30
TQ3;TM2
2009-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
8-11
10.3969/j.issn.1005-1198.2009.01.003
氮化硅、氧氮化硅、介电常数、介电损耗
30
TQ3;TM2
2009-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
8-11
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn