10.3969/j.issn.1005-1198.2007.03.001
锑掺杂PZSN压电陶瓷烧结工艺的研究
为制备大功率低损耗压电陶瓷材料,对改性锆钛酸铅压电陶瓷Pb0.9Ba0.05Sr0.05(ZN1/3Nb2/3)0.06(Sn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3+0.5%Mn(NO3)2(质量分数,下同)+x%Sb2O3的烧结工艺进行比较研究,结果表明体系优化结工艺为以300℃/h的升温速率,在1250℃处保温3 h,此时对0.1%~0.4%(质量分数)的Sb2O3掺杂,均可制备出综合性能优良的压电陶瓷.当掺杂量为0.1%(质量分数)时,其tanδ,Qm,Kp,d33和εr分别为0.47%,2251,0.538,336 pC/N和1897,可满足大功率应用的要求.
压电陶瓷、介电损耗、锆钛酸铅.
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TQ17
国家高技术研究发展计划863计划2004AA32G090;湖北省教育厅科研项目200530002
2007-12-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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3-6,19