10.3969/j.issn.1005-1198.2003.04.007
陶瓷电容器的制备工艺概述
简介了新型陶瓷电容器的优点、功能、类型和发展现状及表面层陶瓷电容器、表面层型陶瓷电容器和晶界型陶瓷电容器的产生机理和区别,和影响陶瓷电容器性能的诸多因素,如显微结构、掺杂元素和包覆改性等;回顾了国内外陶瓷电容器的烧成工艺发展历史,如高温一次烧成、低温一次烧成、独石法和激光辐射法等;展望了陶瓷电容器在21世纪的研究和应用前景.
陶瓷电容器、显微结构、掺杂改性、包覆技术、烧成工艺
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TQ174.75
2005-10-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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