应用于5G的新型高线性度功率放大器设计

摘要：

基于三安公司的2 μm GaAs HBT工艺,设计一种工作在5G N78频段的高线性功率放大器.为了解决大信号和高温下功率管静态工作点稳定性差的问题,提出一种在传统电流镜结构中添加分压晶体管、负反馈电阻及镇流电阻的新型有源自适应偏置电路,通过调节阻值大小来调节分压晶体管电压,从而达到减小静态工作点的偏移、提高线性度的目的.此外,在功放的末级匹配中添加多LC串联及TANK结构,既对输出匹配网络进行了优化,又抑制了二、三、四阶高次模频率.结果 表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-44.46 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄漏比小于-37.62 dBc.所提方法具有良好的线性性能.

关键词：射频功率放大器、高线性度、5G、分压晶体管电压、偏置电路、LC匹配结构、IMD3仿真、ACLR测试

所属期刊栏目：46

分类号：TN454-34(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：上海市自然科学基金;上海电子信息职业技术学院高层次科研启动资助项目

在线出版日期：2023-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8