一种低噪声C类LC压控振荡器的设计

摘要：

为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器.交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡.通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善.设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围.仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14～5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz.

关键词：LC压控振荡器、低噪声振荡器、相位噪声、CMOS、差分电压变容、振荡频率、交叉耦合、共模反馈

所属期刊栏目：46

分类号：TN753.9-34;TN432(基本电子电路)

在线出版日期：2023-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16