一种动态自偏置的低功耗无片外电容LDO

摘要：

基于0.13 μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化.电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性.输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应.仿真得到压差电压为57 mV;在-55～125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2～3.3 V和负载100 nA～50 mA的变化范围内,线性调整率为 0.452 mV/V,负载调整率为 0.074 mV/mA.满载 50 mA和电源电压 1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°.负载100 nA时静态电流2.5 μA.负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns.此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品.

关键词：低功耗LDO、过冲抑制电路、动态自偏置、瞬态响应、压差电压、结构转换

所属期刊栏目：46

分类号：TN402-34(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：175-180