期刊专题

10.16652/j.issn.1004-373x.2022.08.012

基于3D动态蒙特卡罗的POM分子闪存器件充放电仿真研究

引用
随着存储数据容量不断增加,需要更好地了解新型存储设备的工作原理才能快速发展下一代技术.基于多金属氧酸盐(POM)分子的新型闪存器件的优异特性为存储器件的持续小型化发展提供了可能.为此,文中以仿真框架NESS为基础,首次提出利用3D动态蒙特卡罗(KMC)研究基于[M18O54(SeO3)2]4-POM分子的闪存器件充放电特性,包括写、擦除和保持过程.基于POM分子闪存器件的模拟域,得到操作电压对写、擦除时间以及隧穿功耗的影响程度,从而分析器件保持特性.仿真结果表明:操作电压对隧穿功耗会产生显著影响,因此实现时间和功耗的折衷需选取合适的操作电压;同时,POM分子闪存器件具有显著的保持特性优势.

POM分子闪存器件、充放电仿真、3D动态蒙特卡罗、模拟程序、操作电压选取、仿真分析

45

TN915.9-34;TP399

国家自然科学基金61604105

2022-04-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

64-68

暂无封面信息
查看本期封面目录

现代电子技术

1004-373X

61-1224/TN

45

2022,45(8)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn