基于闭环di/dt和dv/dt控制的电压型有源驱动电路

摘要：

SiC MOSFET的高频切换将不可避免地导致di/dt或dv/dt的增高,随即引起电压以及电流振荡.开关振荡会产生严重的负面影响,表现为电压尖峰、额外的功率损耗、电磁干扰(EMI)噪声.为了减缓SiC MOSFET漏源极电压的尖峰及振荡,文中设计一种基于闭环di/dt和dv/dt控制的电压型有源驱动电路.该有源驱动电路通过控制栅源电压波形控制SiC MOSFET的开关速度,进而抑制电压电流的尖峰和振荡.将所设计的有源驱动电路在半桥斩波电路中进行仿真验证,仿真结果表明,该有源驱动电路可以有效地实现预期功能;且相对常规电路,该驱动电路所需元器件少,控制过程简单.

关键词：SiC MOSFET;有源驱动电路;闭环控制;电路设计;电压振荡抑制;仿真验证

所属期刊栏目：44

分类号：TN713+.8-34;TP311(基本电子电路)

资助基金：山西省重点研发计划项目201903D121015

在线出版日期：2021-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40