氧化钽阻变存储器的初始化电压调制

摘要：

采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征.系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响.研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压.基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内.

关键词：氧化钽、阻变存储器、电压调制、初始化电压、阻变单元、置位/复位电压

所属期刊栏目：44

分类号：TN389-34(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2018YFB0407500

在线出版日期：2021-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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