基于PFM控制的高效GaN全桥LLC谐振变换器设计

摘要：

GaN MOSFET作为宽禁带的第三代半导体不仅开关速度快而且导通电阻小,把其用于变换器具有一定的高效性,而LLC谐振变换器作为高效的DC-DC变换器一直被广泛关注.现将GaN MOSFET用作全桥LLC谐振变换器的原边开关管进一步提升变换器的效率,并且通过PFM(变频)控制将变换器的工作频率划分为3个区域,进而找到效率最高的频率点,使变换器以此频率高效运行,文中对全桥LLC谐振变换器进行了参数设计,并基于Plecs和Matlab软件联合仿真验证参数和方案的可行性,搭建硬件平台得到谐振电流、输出电压的实验波形与仿真波形进行对比.实验结果表明,将GaN器件引入全桥LLC谐振变换器后能提高系统的频率及功率密度且最高效率可达96％.

关键词：全桥LLC谐振变换器、PFM控制、参数设计、频率划分、方案验证、波形对比

所属期刊栏目：44

分类号：TN624-34;TM46(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金重点资助项目;国家自然科学基金;天津市研究生科研创新项目

在线出版日期：2021-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：27-32