一种新型高增益Quasi-Z源逆变器

摘要：

为了解决传统Z源逆变器的升压能力不足,提出一种新型高增益Quasi-Z源逆变器.该新型拓扑结构将传统Quasi-Z源逆变器的两个电感用升压单元和改进型开关电感替换得以实现.在Matlab/Simulink下对该新型拓扑结构和传统Quasi-Z源拓扑结构的直流链电压、电容电压和负载电压进行仿真分析对比.结果显示,相比于传统的Quasi-Z源逆变器,该新型拓扑结构性能有了大幅度改善,提高了升压能力,使其可以有更加广泛的应用场合,有效抑制了启动冲击电流,从而避免了启动瞬间逆变器开关器件的损坏.

关键词：Quasi-Z源逆变器、升压能力、拓扑结构、性能改善、仿真分析、理论验证

所属期刊栏目：42

分类号：TN386-34;TP301.6(半导体技术)

资助基金：教育部创新团队IRT_16R63;自治区"天山雪松"计划2017XS02;教育厅重大专项XJEDU2017I002

在线出版日期：2019-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-12,16