一种高PSR CMOS带隙基准电路设计

摘要：

为了降低芯片电路功耗，电源电压需要不断的减小，这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究，采用SMIC 0.18μm工艺，设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明，该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB；在2~6 V电源电压下，工作电流为30μA，温度系数为30.38 ppm/℃，电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。

关键词：带隙基准电压、低功耗、电源抑制、电路设计

分类号：TN402-34(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：153-155,158