Ka波段单片压控振荡器的设计

摘要：

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了Ka波段单片压控振荡器，该压控振荡器采用源极正反馈结构，变容管采用源极和漏极接地的pHEMT管。通过优化输出匹配网络和谐振网络以改善输出功率和相位噪声性能，使用蒙特卡洛成品率分析对本设计的成品率进行分析和改进。版图仿真结果显示：芯片输出频率为24.6~26.3 GHz，输出功率为（10±1）dBm，谐波抑制大于19 dB，芯片尺寸为1.5 mm×1 mm。

关键词：Ka波段、砷化镓、微波单片集成电路、压控振荡器、pHEMT

分类号：TN752-34(基本电子电路)

在线出版日期：2014-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-80