一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

摘要：

采用Xfab 0.35 μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5 V的带隙基准源电路.该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调.利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～+120 ℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15 ppm/℃;电源电压在2～4 V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06 mV;低频下具有-102.6 dB的PSRR,40 kHz前电源抑制比仍小于-100 dB.

关键词：电流模带隙基准、基准电压修调、电源电压抑制比、温度系数

所属期刊栏目：33

分类号：TN432-34(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：202-204,210