CCD纵向抗晕结构设计与优化

摘要：

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算.结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强.得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构.

关键词：CCD、光晕、纵向抗晕、器件仿真

所属期刊栏目：33

分类号：TN915.43-34;TP212

在线出版日期：2010-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：172-174