VLSI金属互连线电迁移噪声检测敏感性的逾渗模拟

摘要：

在电迁移物理机制的基础上结合逾渗理论,建立了一种金属互连线电迁移的逾渗模型.基于该模型,采用蒙特卡罗方法模拟了超大规模集成电路(VLSI)金属互连线电迁移过程中电阻和低频噪声参数的变化规律.结果表明,与传统的电阻测量方法相比,低频噪声表征方法对电迁移损伤更敏感,检测的效率更高.该研究结果为低频噪声表征VLSI金属互连线电迁移损伤的检测方法提供了理论依据.

关键词：电迁移、LF噪声、逾渗模拟、敏感性

所属期刊栏目：33

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：186-189