数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

摘要：

半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用.采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P+-P-N-N+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究.研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数时SOS电流截断特性的影响.结果表明:P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值战小.该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值.

关键词：半导体断路开关、脉冲功率源、数值模拟、电流截断特性

所属期刊栏目：33

分类号：TN389(半导体技术)

在线出版日期：2010-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：179-181