低压CMOS带隙基准电压源设计

摘要：

基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度.阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源.并基于CSMC 0.5 μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果.

关键词：CMOS基准电压源、低功耗、Sub-1 V、高电源抑制比

所属期刊栏目：33

分类号：TM13(电工基础理论)

资助基金：贵州省科技攻关项目.高精度低漂移集成电压基准源研制"GY[2008]3033;贵州大学研究生创新基金

在线出版日期：2010-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：115-117