用R-DCIV方法研究MOST过渡层影响

摘要：

为了研究MOS晶体管中过渡层对于电学特性的影响,通过采用电子-空穴复合的直流电压电流特性方法,改变MOST过渡层不同的参数,画出其界面电子-空穴复合的直流电流电压特性曲线,分析比较有无过渡层曲线的变化情况来讨论MOST的电学性质.通过分析得出过渡层对于晶体管的影响较小,在工业生产可以接受的误差范围之内,因此在工业生产中不必再刻意考虑过渡层对MOS晶体管造成不利影响.

关键词：金属氧化物晶体管、直流电压电流特性、二氧化硅层、过渡层

所属期刊栏目：33

分类号：TN321(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：181-184