一种减少VDMOS寄生电容的新结构

摘要：

分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能.

关键词：VDMOS、电容、TCAD、开关时间

所属期刊栏目：32

分类号：TN710(基本电子电路)

在线出版日期：2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：200-202