一种高可靠性上电复位芯片的设计

摘要：

为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案.并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性.使用0.6 μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型,利用HSpice对其功能仿真,结果表明该电路3.3 V工作电压下的阈值电压为3.08 V,复位延时时间为100 ms,能稳定可靠地提供复位信号,可适用于电脑、微控制器以及便携式电子产品的电源监控.

关键词：上电复位、带隙基准、温度系数、运算跨导放大器、激光调整

所属期刊栏目：32

分类号：TP368.1(计算技术、计算机技术)

资助基金：苏州市创新人才基金资助项目ZXG0719

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15