阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

摘要：

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.

关键词：非易失性存储器、电阻转变特性、存储单元结构、1T1R

所属期刊栏目：32

分类号：TN710(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60576066;国家自然科学基金主任资助项目60644007

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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