10.3969/j.issn.1004-373X.2008.19.017
基于ADS的X波段低噪声放大器的设计与仿真
主要介绍了低噪声放大器的设计理论及用Agilent公司的ADS仿真软件进行X渡段低噪声放大器的设计和仿真.在设计的过程中选择了NEC公司的HEMT管NE3210S01,HEMT管与FET相比较,其噪声系数更低,增益和工作频率更高.进行阻抗匹配采用的拓扑结构是并联导纳式结构,即利用串联微带传输线进行导纳变换,然后并联一个微带分支线,微带线的终端开路(或短路),用其输入导纳作为补偿电纳,以达到电路匹配.最后给出了仿真结果、版图设计及实测结果.
噪声系数、S参数、低噪声放大器、ADS、匹配网络
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TN95
2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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