高压VDMOSFET导通电阻的优化设计

摘要：

以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系.给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通电阻0.85 Ω的功率VDMOS器件的设计和仿真.

关键词：VDMOS、穿通型VDMOS、优化外延层、导通电阻

所属期刊栏目：30

分类号：TP451

在线出版日期：2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：174-176