一种低电压低功耗的甲乙类S2I存储单元

摘要：

提出了一种低电压、低功耗的甲乙类S2I存储单元,电源电压为±0.5 V.电路采用CMOS开关以增大输入信号动态范围,使用交叠时钟控制方案以改善性能.使用EKV MOS晶体管模型参数进行了电路仿真,仿真结果表明该电路的性能优于基本甲乙类存储单元.文中也给出了基于该存储单元的通用积分器电路.

关键词：开关电流、甲乙类、存储单元、S2I、低电压

所属期刊栏目：30

分类号：TN732(基本电子电路)

在线出版日期：2007-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：165-167,171