一种0.18 μm 2.4G CMOS低噪声放大器的设计

摘要：

提出了一种基于TSMC 0.18 μm CMOS 工艺的2.4 G频率下带负反馈的CMOS低噪声放大器.采用带有级间匹配的共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,并在输入端加入π型网络,保证较高的品质因数和信噪比.此外,该放大器在输出端引入反馈支路,有效地降低了密勒效应的影响.通过ADS软件仿真得到很好的结果:在1.8 V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为为15.15 dB,噪声系数为0.62 dB,直流功耗为7.9 mW.

关键词：低噪声放大器、CMOS、反馈、噪声系数、增益

所属期刊栏目：30

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23