射频LDMOS电容特性研究

摘要：

射频LDMOS由于具有高击穿电压、高线形、高增益、价格低廉等优势而成为手机基站中的核心射频功率放大器件,LDMOS的栅漏电容Cgd是决定截至频率的主要因素,研究他对射频LDMOS的设计具有重要的意义.通过使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了射频LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgd和漏源电压Vgs的关系;分析得到LDMOS独特电容特性的原因;得出了栅氧化层厚度、漂移区浓度、沟道区浓度参数对Cgd的影响,并验证了喙栅结构具有比普通结构更优异的射频特性.

关键词：LDMOS、电容、ISE、喙栅结构

所属期刊栏目：29

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：国防科技预先研究和电子发展基金

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36