低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

摘要：

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中.采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HVT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0～9.5 GHz;输出功率Pout=7～9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffest为100kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz.

关键词：HBT、压控振荡器、微波单片集成电路、相位噪声

所属期刊栏目：29

分类号：TN753.9(基本电子电路)

在线出版日期：2006-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4-5,9