VDMOSFET二次击穿效应的研究

摘要：

在PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视.本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,并着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,提出了改善其二次击穿现象的措施.用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数因素对功率晶体管VDMOS二次击穿的影响.

关键词：二次击穿、双极晶体管、功率晶体管VDMOS、寄生晶体管、MEDICI

所属期刊栏目：28

分类号：TN322+.8(半导体技术)

在线出版日期：2005-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：114-117