10.3969/j.issn.1004-373X.2004.12.008
基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究
随着工艺尺寸的缩小,IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻.在超深亚微米IC设计中,设计的复杂性会导致SI(信号完整性)问题更加突出,从而会影响整个产品的设计周期.本文在此基础上提出了SI概念以及影响他的因素,并针对其两个主要影响因素crosstalk(串扰)和IR drop(IR压降)进行了分析讨论,并提出了解决的方案.
信号完整性、串扰、IR压降、超深亚微米
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TN701(基本电子电路)
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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