CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨

摘要：

随着超大规模集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,而静电放电(Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著.因此,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目.介绍了ESD的4种等效模型:人体、机器、器件充电和场感应模型,以及各模型的特点和等效测试电路.同时较详细的介绍了ESD的测试方式和方法.

关键词：静电放电、ESD模型、电流、CMOS

所属期刊栏目：27

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：70-73