光刻胶材料发展状况及 下一代光刻技术对图形化材料的挑战

摘要：

一、背景
光刻胶是制造集成电路的关键材料,其性能直接影响到集成电路芯片上的集成度、运行速度及功耗等性能.在摩尔定律的推动下,集成电路芯片集成度不断提高,光刻胶技术也不断发展,经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248 nm光刻胶、193 nm光刻胶等一系列技术平台,从技术上经历了环化橡胶体系、酚醛树脂-重氮奈醌体系及化学放大体系.在设备、工艺与材料的共同作用下,分辨率从几十微米发展到了现在的10 n m.本文回顾了不同光刻胶体系的基本组分、作用原理与技术特点,在此基础上分析了下一代光刻技术,特别是大分子自组装和极紫外光刻的技术特点及其对相关材料的挑战.

在线出版日期：2019-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47