第3代半导体材料企业发展状况初探

摘要：

第3代半导体材料是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）金刚石为代表的宽禁带半导体材料。相比第1、2代半导体，第3代半导体材料禁带宽度较宽（禁带宽度>2.2e V），导热率更高、击穿电场更高、抗辐射能力更强、电子饱和速率更大，基于它们制作的电子器件适合应用于高温、高频、抗辐射及大功率场合。

机标关键词：宽禁带半导体材料、企业、禁带宽度、抗辐射能力、击穿电场、电子器件、碳化硅、金刚石、导热率、氮化铝、氮化镓、大功率、制作、应用、速率、高频

分类号：TN3;TM9

在线出版日期：2016-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25