第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策

摘要：

第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅（S i）（1.1e V）和砷化镓（G a A s）（1.4e V）的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源、下一代射频和电力电子器件的“核心”，在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第1代、第2代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点发挥重要作用，正在成为全球半导体产业新的战略高地。我国在半导体照明方面已经形成完整的产业链和一定的产业规模，成为全球发展最快的区域，为第3代半导体在其他领域的应用奠定了良好的基础。但我国在电力电子、通讯等领域的研发和产业化与国外差距较大，需要加大研发投入，建立体制机制创新的研发创新和科技服务平台，构建立足地方、带动全国、引领世界的跨学科、跨行业、跨区域的第3代半导体创新价值链，重塑全球半导体产业发展格局。

机标关键词：半导体照明、机遇、产业、半导体技术、宽禁带半导体材料、电力电子器件、体制机制创新、新能源汽车、抗辐射能力、经济增长点、创新价值链、转型升级、战略高地、域的应用、优越性能、应用前景、移动通信、研发投入、全球发展、区域

分类号：TN3;TM9

在线出版日期：2016-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：6-13