碳化硅紫外探测器件的现状

摘要：

近年来随着碳化硅（S i C）材料制备技术的日趋成熟和成本的不断下降，利用这种新兴半导体材料制成的紫外探测器件得到了广泛关注。其中尤其引人注目的是应用于紫外日盲波段（简称“日盲波段”，波长200～300n m左右）的光电探测技术和器件。

机标关键词：碳化硅、紫外、日盲波段、光电探测技术、半导体材料、制备技术、探测器件、应用、成本、波长

分类号：P13;O43

在线出版日期：2014-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38