宽禁带稀磁半导体材料研究进展

摘要：

为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势，研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始，研究者尝试将少量的磁性原子掺入非磁性宽禁带半导体材料中，以获得磁性半导体材料，制备出集磁、光、电于一体的低功耗新型半导体电子器件。因此，宽禁带稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductor，DMS）应运而生。<br>　　由于电子同时具有电荷和自旋2种属性，其中，利用电子的电荷属性能够制备出半导体器件，利用电子的自旋属性则可以得到大容量信息存储器件。宽禁带DMS同时具有电子的电荷属性和自旋属性，可直接与已有的半导体工艺相集成，在开发光、电、磁多功能集成新型器件方面具有重要用途，可广泛用于未来的磁（自旋）电子器件，在磁性物理学和半导体物理学之间架起了一座桥梁，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。宽禁带DMS在室温下具有铁磁性，因而成为材料界的研究热点。本文论述了宽禁带稀磁半导体材料的特殊物理性质，总结其研究现状，归纳研究重点，并展望了其应用前景。

机标关键词：宽禁带半导体材料、稀磁半导体材料、电子器件、磁性、Magnetic Semiconductor、属性、自旋、半导体物理学、电荷、大容量、多功能集成、代信息技术、半导体器件、半导体工艺、应用前景、物理性质、技术革命、发展趋势、电子工业、存储器件

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2013-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：64-68