低压合成法制备三氯氢硅工艺概述

摘要：

　　当前，90%以上的多晶硅制备工艺使用改良西门子法，这种工艺仍在发展完善中，在未来相当长的时间内还将占据主流地位。三氯氢硅（SiHCl3，英文缩写为TCS）是该工艺的一个重要原料，其制备工艺也得到了很大的发展，出现了3种不同的工艺方法：硅（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法、四氯化硅（SiCl4，英文缩写为STC）氢化转化法和二氯二氢硅（SiH2Cl2，英文缩写为DCS）转化法。这3种工艺中只有低压合成法为从源头硅粉开始的相对独立的制备工艺，另外2种工艺都需要和其他工段结合，为配套转化工艺，侧重点不在于此。低压合成法的优点为反应压力低、温度低、转换率高，由于目前国内还没有完全掌握大直径流化床制造工艺，而且工艺和设备还需要进一步的完善，因此该工艺方法还有很大的发展空间。

机标关键词：低压合成法、法制、制备工艺、英文缩写、工艺方法、转化法、工艺和设备、二氯二氢硅、转化工艺、主流地位、制造工艺、四氯化硅、三氯氢硅、转换率、压力低、西门子、氯化氢、流化床、多晶硅、大直径

分类号：TQ4;O64

在线出版日期：2013-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：56-59