基于第一性原理的静水压下CaCu3Ti4O12的电子结构

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu3 Ti4 O12(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建立介电性能与晶胞畸变之间的内在关系.能带结构计算表明:价带顶主要由O-2p和Cu-3d态电子贡献,导带底主要由Ti-4d态电子贡献,且带隙随着压强的增加而增大;费米能级附近,O-2p态电子和Cu-3d态电子起主要作用,即CuO4正方形结构对CCTO的介电性能产生重要影响.介电性能分析表明:当压力不断增大时,CCTO晶格内原子间的相互距离,相互作用的强度和方式发生改变,促使电子结构发生变化,光频介电常数增大.因此,晶胞调控是优化CCTO介电性能的有效途径.

关键词：CaCu3Ti4O12、第一性原理、电子结构、态密度、能带结构、介电函数

所属期刊栏目：35

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金51277138

在线出版日期：2021-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：102-107