埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响

摘要：

通过模拟局部氧化隔离SOI NMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.模拟结果表明,在原工艺流程完成后再进行一次退火处理,可以减弱应力对器件阈值电压的影响.

关键词：绝缘体上硅、局部氧化隔离、界面应力

所属期刊栏目：25

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：375-378