10.3969/j.issn.1674-649X.2009.04.032
磁控溅射制备纳米Ni-Al薄膜的表面粗糙度和电阻率的研究
研究了在纳米厚度范围内,Ni-Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系. 利用直流磁控溅射方法,使用高纯度(99.99%)的Ni 、Al靶, 通入Ar气制备了Ni-Al薄膜,薄膜的厚度为15nm~140nm. 在室温下通过直线四探针和原子力显微镜测量了不同厚度Ni-Al薄膜的电阻率和表面粗糙度,结果表明电阻率变化和表面粗糙度成近似线性关系.
Ni-Al薄膜、磁控溅射、粗糙度、电阻率
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O484.1(固体物理学)
2009-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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