MEMS微结构电沉积层均匀性的有限元模拟
利用有限元软件ANSYS对MEMS微电铸Ni工艺进行电场模拟,研究了光刻胶厚度、线宽以及片内辅助电极参数对微结构表面电场分布均匀性的影响.根据模拟结果,利用微电铸试验研究了微结构单元尺寸以及辅助极距离和大小对于微结构层厚度均匀性的影响.模拟和试验结果均表明,微结构单元尺寸是影响其均匀性的主要因素之一,合理添加片内辅助极是提高微结构铸层厚度均匀性的有效方法.而且,有限元分析软件ANSYS可以对微结构的电镀过程进行有效的模拟分析.
微电铸、厚度均匀性、MEMs、有限元
TN304.07(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863资助项目2006AA42326,2006AA042308
2009-03-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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