利用压印技术制备大面积相变材料阵列

摘要：

采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/SiO2基 Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,I-V特性表明,阈值电压为1.18 V.此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃-300℃之间.

关键词：UV-L、SST阵列、PCRAM、存储单元

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家重大科学研究计划资助项目2007CB935400;上海市科学技术委员会科研发展计划资助项目0652nm052,0752nm013:0752nm014:上海市博十后重点科学基金资助项目07R214204;中国博士后科学基金资助项目20070420105

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8