Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响

摘要：

利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜.通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能.Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ·cm,波长190 nm-850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%.

关键词：Mo薄膜、直流脉冲磁控溅射、晶粒尺寸、光电性能

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：大连交通大学人才引进启动基金资助项目021403

在线出版日期：2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38