基片温度对真空热蒸发的SnS薄膜性能的影响

摘要：

利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜,在50℃～200℃之间,研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,随着基片温度的升高,SnS薄膜的结晶度越好,薄膜变得更光滑,薄膜颗粒也增大了;薄膜的平均粗糙度从19.1 nm减小到3.92 nm,薄膜颗粒的平均粒径从108 nm增大到150 am.而且随着基片温度的升高,SnS薄膜的载流子浓度从7.118×1013 cm-3提高到2.169×1015 cm-3,而电阻率从641.8 Ω·cm降低到206.2 Ω·cm .但是基片温度对薄膜的物相结构和导电类型没有影响.在不同基片温度下,所制备的薄膜都是具有正交结构的多晶SnS,在(111)晶面上有很强的择优取向,其导电类型都为p型.

关键词：SnS薄膜、真空热蒸发、性能、基片温度

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：福建省科技厅重点项目、福建省自然科学基金和科技三项项目资助2008I0019,2006J0032,2006F5062;福建省光催化省部共建国家重点实验室培育基地开放课题科技厅重点项目K-081005

在线出版日期：2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-34