电子束光刻制备5 000 line/mm光栅掩模关键技术研究

摘要：

为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响.采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5 000line/mm x射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm～110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件.

关键词：电子束光刻、X射线透射光栅、邻近效应校正、X射线光刻

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家基础科学重大研究计划资助项目2007CB935302;国家高技术发展计划863项目资助2006AA03Z355

在线出版日期：2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4-5,13